ब्लैक सिलिकॉन कार्बाइड

क्रिस्टल रूप

अल्फा SiC हेक्सागोनल प्रणाली

रासायनिक प्रकृति

थोड़ा एसिड

अम्ल के साथ प्रतिक्रिया

हाइड्रोफ्लोरोइक एसिड के साथ सतह पर बहुत हल्की क्रिया

क्षार के साथ प्रतिक्रिया

उच्च तापमान पर एल्केल्स और आयरन एक्साइड द्वारा हमला किया जाता है

ऑक्सीकरण-कमी प्रभाव

800 पर धीरे-धीरे ऑक्साइड बनना शुरू हो जाता है। ^{डिग्री सेल्सियस} कोई कमी नहीं

वास्तविक घनत्व (ग्राम/सेमी ³)

3.20

कठोरता

नूप (किलो/सेमी ²)

2200-2500

मो

9.5

रंग

काला

फायरिंग के बाद रंग

काला

अपघटन बिंदु

2200^ओ सी

अधिकतम उपयोग योग्य तापमान

1540^ओ सी हवा में

विशिष्ट ऊष्मा (कैलोरी/जी. ^ओ सी)

0^ओ सी

500^ओ सी

1000^ओ सी

0.14

0.28

0.13

तापीय चालकता का गुणांक (cal/cm ².sec. ^o C)

600^ओ सी

800^ओ सी

1000^ओ सी

0.080

0.061

0.0510

विद्युत प्रतिरोधकता (डब्ल्यूसीएम)

25^ओ सी

100^ओ सी

400^ओ सी

800^ओ सी

1400^ओ सी

50

46.4

26.6

7.8

0.65

लाइनर विस्तार का गुणांक (x10 ^-6)

25^ओ सी-500 ^ओ सी

25^o सी-1000 ^ओसी

25^ओ सी-1500 ^ओ सी

25^ओ सी-2000 ^ओ सी

25^ओ सी-2500 ^ओ सी

4.63

5.12

5.48

5.77

5.94

धैर्य

10# - 90#

100# -180#

220# - 220#

230# - 400#

500#-1200#

सिक

98.5 मि

98.0 मि

97.0 मि

96.0 मि

93.0 मि

एफसी

0.2 अधिकतम

0.3 अधिकतम

0.3 अधिकतम

0.4 अधिकतम

0.4 अधिकतम

फे ₂ओ₃

0.6 अधिकतम

0.8 अधिकतम

1.2 अधिकतम

1.5 अधिकतम

1.7 अधिकतम

ग्रिट नं.

माइक्रोन

ग्रिट नं.

माइक्रोन

ग्रिट नं.

माइक्रोन

10

2360 ~ 2000

30

710 ~ 600

80

212~180

12

2000 ~ 1700

36

600 ~ 500

90

180 ~ 150

14

1700 ~ 1400

40

500~425

100

150 ~ 125

16

1400 ~ 1180

46

425 ~ 355

120

125~106

20

1180 ~ 1000

54

355 ~ 300

150

106~75

22

1000 ~ 850

60

300 ~ 250

180

90~63

24

850 ~ 710

70

250 ~ 212

220

75~53

चीन जीबी 2477-83

जिस

एफईपीए(84) / डीआईएन(70)

आईएसओ(77)

ग्रिट नं.

सामान्य आकार सीमा(µm)

ग्रिट नं.

ds50 मान (µm)

ग्रिट नं.

ds50 मान (µm)

ग्रिट नं.

ds50 मान (µm)

मिक्रो-एफ-रीहे का मानक संस्करण

सेडिग्राफ 5000डी

240

60.0±4.0

पी240

58.5±2.0

280

52.0±3.0

पी280

52.2±2.0

W63

63 - 50

320

46.0±2.5

F230/53

53±3.0

50.0±3.0

P320

46.2±1.5

W50

50 - 40

360

40.0±2.0

F240/45

44.5±2.0

42.0±2.0

P360

40.5±1.5

400

34.0±2.0

पी400

35.0±1.5

W40

40 - 28

500

28.0±2.0

F280/37

36.5±1.5

34.5±1.5

पी500

30.2±1.5

600

24.0±1.5

F320/29

29.2±1.5

27.7±1.5

पी600

25.8±1.0

W28

38 - 20

700

21.0±1.3

F360/23

22.8±1.5

21.6±1.5

पी800

21.8±1.0

800

18.0±1.0

एफ400/17

17.3±1.0

16.5±1.0

पी1000

18.3±1.0

W20

20 - 14

1000

15.5±1.0

F500/13

12.8±1.0

12.3±1.0

पी1200

15.3±1.0

W14

14-10

1200

13.0±1.0

1500

10.5±1.0

एफ600/9

9.3±1.0

9.0±1.0

W10

10 - 7

2000

8.5±0.7

W7

7 - 5

2500

7.0±0.7

एफ800/7

6.5±1.0

6.3±1.0

W5

5 - 3.5

3000

5.7±0.5

एफ1000/5

4.5±0.8

4.5±0.8

F1200/3

3.1±0.5

3.1±0.5

सामान्य प्रयोजनों के लिए

सामान्य प्रयोजनों के लिए

बंधुआ अपघर्षक के लिए

लेपित अपघर्षक के लिए

रासायनिक संरचना

प्रकार

SiC मि

एफसी अधिकतम

फ़े ₂हे ₃ अधिकतम

आकार मिमी

टीएन98

98.0

1.0

0.5

50-0
13-0
10-0
5-0
0.5-0

100#-0
220#-0

टीएन97

97.0

1.5

0.8

टीएन95

95.0

2.5

1.0

टीएन90

90.0

3.0

2.5

टीएन88

88.0

3.5

3.0

टीएन85

85.0

5.0

3.5

टीएन60

60.0

12.0

3.5

TN50

50.0

15.0

3.5

विट्रीफाइड उपकरण        

लैपिंग          

रेज़िनॉइड उपकरण        

नष्ट          

चमकाने            

धातु - स्वरूपण तकनीक  

टंबलिंग            

प्रतिरोध पहन    

स्वयं लड़खड़ाना      

आग रोक        

लैपिंग कंपाउंड

तार आरी        

विद्युतीय            

चीनी मिट्टी                        

इलेक्ट्रॉनिक          

नाभिकीय